Samsung anunciado oficialmente o início da produção em massa de novos chips de memória para seus smartphoneseles chegam com 512 GB de armazenamento e e para o novo padrão de transferência USF 3.1 o que aumenta a velocidade de leitura e gravação.
Os carros-chefe da Samsung serão muito mais rápidos e eficientes, pois o fabricante anunciou a produção em massa de chips de memória eUFS. 3.1, que permitirá armazenar 8k vídeos e arquivos grandes.
A Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciou hoje que começou a produzir em massa o primeiro eUFS (Universal Flash Storage) de 512 gigabytes (GB) do mundo. 3.1 da indústria para uso em smartphones emblemáticos.
512 GB de armazenamento
Novas memórias chegam com e para o padrão eUFS 3.1, com um armazenamento de 512 GB, embora estes estejam sendo implementados na série Galaxy S20, não demorará muito para que outros fabricantes comecem a implementá-los.
Graças à velocidade de armazenamento do chip eUFS 3.1 512 GB, os usuários poderão armazenar mais informações em menos tempo, diz a empresa na publicação oficial.
Samsung
Velocidade de gravação três vezes melhor que o UFS 3.0
Em fevereiro de 2019, a Samsung lançou seus chips de memória UFS 3.0 com uma velocidade de 1.000 MB / s, ou seja, o dobro da velocidade de leitura em comparação com o SSD SATA de 2,5 polegadas na leitura seqüencial, enquanto na escrita atinge 260 MB / s.
Agora o novo eUFS 3.1 512 GB terá nada mais e nada menos que velocidades de leitura e gravação sequenciais de até 2100MB / se 1200MB / s, respectivamente.
"Com a introdução de um armazenamento móvel mais rápido, os usuários de smartphones não precisarão mais se preocupar com o gargalo que enfrentam com os cartões de armazenamento convencionais" disse Cheol Choi, vice-presidente executivo de vendas e marketing de memória da Samsung Electronics.
Em outras palavras, você pode transferir até 100 GB de dados para seu celular com o eUFS 3.1 ou em apenas 90 segundos ou menos para os carros-chefe da marca, enquanto outras versões com eUFS 3.0 requer mais de quatro minutos.
Melhorias na velocidade aleatória de leitura e gravação
A Samsung também relatou melhorias no nível aleatório de leitura e gravação, com desempenho 60% mais rápido que a versão UFS 3.0 Amplamente utilizado, oferecendo 100.000 operações de entrada / saída por segundo (IOPS) para leituras e 70.000 IOPS para gravações.
Lembre-se de que o padrão UFS 3.0 Oferece 58.000 IOPS e 50.000 IOPS em leitura e gravação aleatória, respectivamente, se permitidas a leitura de um vídeo FullHD de 5 GB em apenas 5 segundos, imagine o que você pode fazer com as novas memórias eUFS 3.1.
Atualmente, nenhum outro recurso de armazenamento eUFS é conhecido. 3.1Mas a Samsung diz que também está trabalhando em 256 GB e 128 GB para os principais terminais, que serão lançados ainda este ano.
Por enquanto, a Samsung iniciou a produção em volume do V-NAND de quinta geração em sua nova linha Xi'an, China (X2) este mês para smartphones insígnias e high-end.
